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    FIB (Focused Ion Beam) 聚焦離子束技術為芯片研發和芯片制造過程提供了至關重要的輔助支撐。它的基本原理是:靜電透鏡聚焦的高能量鎵離子, 經高壓電場加速后撞擊試片表面,在特定氣體協作下產生圖像并移除或沉淀(連接)物質。該技術廣泛應用于掩模修正、電路修改和失效分析。百靈威從美國STREM 公司引進FIB 深層微沉積高純有機金屬源,品種多,包裝全,可滿足客戶的各種需求。

     

    ■ 產品列表

    產品編號 金屬沉積物 產品名稱 包裝
    78-1350 Pt (三甲基)甲基環戊二烯基鉑(IV)
    (Trimethyl)methylcyclopentadienylplatinum(IV), 99%
    2 g
    5 g
    98-4024 Pt (Trimethyl)methylcyclopentadienylplatinum(IV), 99%, 78-1350, contained in 50 mL
    Swagelok® cylinder for CVD/ALD
    10 g
    74-2202 W 六羰基鎢
    Tungsten carbonyl, 99% (99.9+%-W) sublimed
    5 g
    25 g
    98-4036 SiO2 3-Aminopropyltriethoxysilane, 98%, 93-1402, contained in 50 mL Swagelok® cylinder for CVD/ALD 25 g
    79-1600 Au 二甲基(三氟乙酰丙酮)金(II)
    Dimethyl(trifluoroacetylacetonate)gold(III), 98%(99.9%-Au)
    500 mg
    2 g
    29-2928 Cu 雙(六氟乙酰丙酮)合銅(II)
    Copper(II) hexafluoroacetylacetonate, anhydrous, elec. gr. (99.99+%-Cu) PURATREM
    1 g
    5 g

    ■ 配套刻蝕氣體

    產品編號 產品名稱 包裝
    54-1500 二氟化氙 Xenon(II) fluoride, 99.5% 2 g
    10 g
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